訊息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出，0a DRAM採用VCT結構

鳳凰數碼 2024-10-30 01:37:47 5

IT之家 10 月 29 日訊息，《韓國經濟日報》當地時間昨日表示，根據其掌握的最新三星半導體儲存路線圖，三星電子將於 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過 400，而預計於 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將採用 VCT 結構。

三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 奈米級）DRAM。

報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產品將調整 NAND 結構，從目前的 CoP 外圍上單元改為分別製造儲存單元和外圍電路後垂直鍵合，整體思路與長江儲存 Xtacking、鎧俠-西部資料 CBA 相似。

韓媒表示，這一改動可防止 NAND 堆疊過程中對外圍電路結構的破壞，還能實現較 CoP 方案高出 60% 的位密度；2027 年的 V11 NAND 層數進一步增長，I/O 速率可提升 50%；未來有望實現千層堆疊。

而在 DRAM 記憶體領域，韓媒表示三星電子將於 2025 年上半年推出 1c nm DRAM，2026 年推出 1d nm DRAM，而到 2027 年則將推出第一代 10nm 以下級 0a nm DRAM 記憶體，整體同三星儲存器業務負責人李禎培此前展示的內容相近。

報道認為三星電子將在 0a nm 節點引入 VCT（IT之家注：垂直通道電晶體）技術，構建三維結構的 DRAM 記憶體，進一步提升容量的同時減少臨近單元干擾。此前訊息指，三星將於明年完成 4F² VCT DRAM 原型開發。

訊息三星下代400+層v nand 2026年推出 0a dram 採用結構