訊息稱三星14nm級DRAM拖累HBM3E記憶體認證進度，內部正考慮調整設計

鳳凰數碼 2024-10-20 01:38:38 6

IT之家 10 月 17 日訊息，據韓媒 ZDNET Korea 當地時間 15 日報道，三星電子 HBM3E 產品遲遲未能完整透過最大需方英偉達認證並開始供貨是因為受到該記憶體的基礎 14nm 級 DRAM 的拖累。

報道提到三星電子的 36GB 容量 HBM3E 12H 記憶體可能直到 2025 年第 2~3 季度才能啟動供應。

▲ 基於三星 12nm 級 DDR5 DRAM 的伺服器記憶體條

三星電子的 HBM3E 產品完全依賴於其 14nm 級（IT之家注：即 1a nm）DRAM，而另外兩家主要 HBM 記憶體企業 SK 海力士與美光的產品則基於 1b DRAM，三星天然存在相對工藝劣勢。

此外三星電子在其 12nm 級（1b nm）DRAM 的最初設計中並未考慮到 HBM 領域的用途，因此三星無法立即調整 HBM3E 記憶體的 DRAM Die 選用。

不僅如此，三星電子的 1a DRAM 本身也存在工藝和設計兩方面的問題：

三星電子在記憶體領域匯入 EUV 技術上採取較激進策略，以期提升競爭力的同時降低製造成本，其 1a DRAM 擁有 5 個 EUV 層，多於 SK 海力士同期產品。但由於 EUV 工藝複雜，穩定性欠佳，三星 1a DRAM 產品未能如預期降低成本。

此外三星的 1a DRAM 設計本身也存在不足，導致對應 DDR5 伺服器記憶體條獲得英特爾產品認證時機晚於競爭對手 SK 海力士。

訊息人士透露，三星電子內部目前正在討論是否其 1a DRAM 的部分電路進行重新設計，但並未就這一存在各種風險的選擇進行最終決定：因為至少需要 6 個月才能完成新的設計，要到明年第二季度才能進行批次生產，難以向下遊廠商及時交付。

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