三星高管暗示其HBM晶片已獲英偉達質量測試重大進展

鳳凰科技 2024-11-01 01:34:14 5

IT之家 10 月 31 日訊息，三星電子記憶體業務副總裁 Kim Jae-june 在第三季度財報公佈後召開的電話會議上表示：“目前，我們正在量產 8 層和 12 層 HBM3E 產品。”

據他所說，該公司在滿足“主要客戶”的質量測試要求方面取得了“有意義的進展”。該客戶很顯然指的是英偉達。

他還表示：“我們正在向多個客戶擴大 8 層和 12 層 HBM3E 晶片的銷售。我們正在努力改進我們的 HBM3E，以符合一家大客戶的下一代 GPU 計劃。”

此外，三星還表示該公司正在開發第 6 代 HBM4 產品，計劃從明年下半年開始批次生產。

目前，三星電子 HBM3E 產品完全依賴於其 14nm 級（IT之家注：即 1a nm）DRAM，而另外兩家主要 HBM 記憶體企業 SK 海力士與美光的產品則基於 1b DRAM，三星天然存在相對工藝劣勢。

此外三星電子在其 12nm 級（1b nm）DRAM 的最初設計中並未考慮到 HBM 領域的用途，因此三星無法立即調整 HBM3E 記憶體的 DRAM Die 選用。

三星高管暗示其hbm 晶片已獲英偉達質量測試重大進展